Усилитель приемного блока широкополосного локатора
Усилитель приемного блока широкополосного локатора
Министерство образования Российской Федерации
ТОМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ
СИСТЕМ УПРАВЛЕНИЯ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ (ТУСУР)
Кафедра радиоэлектроники и защиты информации (РЗИ)
УСИЛИТЕЛЬ ПРИЁМНОГО
БЛОКА ШИРОКОПОЛОСНОГО ЛОКАТОРА
Пояснительная записка к курсовому проекту по дисциплине
Схемотехника и АЭУ
Студент гр. 148-3
__________Воронцов С.А.
24.04.2001
Руководитель
Доцент кафедры РЗИ
_____________Титов А.А.
_____________
2001
Реферат
Курсовой проект 18 с., 11 рис., 1 табл.
КОЭФФИЦИЕНТ УСИЛЕНИЯ (Кu), АМПЛИТУДНОЧАСТОТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
(АЧХ), ТЕРМОСТАБИЛИЗАЦИЯ, РАЗДЕЛИТЕЛЬНЫЕ ЁМКОСТИ, ДРОССЕЛИ, КОМБИНИРОВАННЫЕ
ОБРАТНЫЕ СВЯЗИ.
Объектом проектирования
является проектирование усилителя приёмного блока широкополосного локатора. Цель
работы – приобретение навыков аналитического расчёта усилителя по заданным к
нему требованиям. В процессе работы производился аналитический расчёт усилителя
и вариантов его исполнения, при этом был произведён анализ различных схем
термостабилизации, рассчитаны эквивалентные модели транзистора, рассмотрены варианты
коллекторной цепи транзистора.
В результате расчета был разработан
широкополосный усилитель с заданными требованиями.
Полученный усилитель может быть использован как усилитель
высокой частоты
в
приёмных устройствах.
Курсовая работа выполнена в текстовом редакторе Microsoft Word 7.0.
ТЕХНИЧЕСКОЕ ЗАДАНИЕ
на курсовое проектирование по курсу “Аналоговые
электронные устройства”
студент гр. 148-3 Воронцов С.А.
Тема проекта: Усилитель приёмного блока
широкополосного локатора.
Исходные данные для проектирования аналогового
устройства.
1. Диапазон частот от 100 МГц до 400 МГц.
2. Допустимые частотные искажения Мн 3 dB, МВ 3 dB.
3. Коэффициент усиления 15 dB.
4. Сопротивление источника сигнала 50 Ом.
5. Амплитуда напряжения на выходе 1 В.
6. Характер и величина нагрузки 50 Ом.
7. Условия эксплуатации (+10 +50)ºС.
8. Дополнительные требования: согласование усилителя
по входу и выходу.
Содержание
1 Введение ------------------------------------------
----------------------------- 5
2 Основная часть ----------------------------------------------------------------
6
2.1 Анализ исходных данных
-------------------------------------------------- 6
2.2 Расчёт оконечного каскада
----------------------------------------------- 6
2.2.1 Расчёт рабочей точки ----------------------------------------------------
6
2.2.2 Расчёт эквивалентных схем замещения транзистора
------------- 9
2.2.2.1 Расчёт параметров схемы Джиаколетто
-------------------------- 9
2.2.2.2 Расчёт однонаправленной модели транзистора
------------------ 9
2.2.3 Расчёт и выбор схемы термостабилизации
--------------------------10
2.2.3.1 Эмитерная термостабилизация
-------------------------------------- 10
2.2.3.2 Пассивная коллекторная
---------------------------------------------- 11
2.2.3.3 Активная коллекторная
----------------------------------------------- 12
3 Расчёт входного каскада по постоянному току
------------------------ 13
3.1 Выбор рабочей точки
------------------------------------------------------ 13
3.2 Выбор транзистора
--------------------------------------------------------- 13
3.3 Расчёт эквивалентной схемы
транзистора------------------------------- 14
3.3.1 Расчёт цепи
термостабилизации-----------------------------------------14
4.1 Расчёт полосы
пропускания выходного каскада-----------------------15
4.2. Расчёт полосы
пропускания входного каскада------------------------ 17
5 Расчёт ёмкостей и дросселей
---------------------------------------------18
6 Заключение
--------------------------------------------------------------------20
7 Список использованных источников----------------------------------------
21
1 Введение
Цель работы – приобретение навыков аналитического
расчёта широкополосного усилителя по заданным к нему требованиям.
Всё более широкие сферы деятельности человека не могут
обойтись без радиолокации. Следовательно, к устройствам радиолокации
предъявляются всё более жёсткие требования. В первую очередь это хорошее
согласование по входу и выходу, хорошая повторяемость характеристик усилителей
при их производстве, без необходимости подстройки, миниатюризация.
Всеми перечисленными выше
свойствами обладают усилители с отрицательными комбинированными обратными
связями [1], что достигается благодаря совместному использованию
последовательной местной и параллельной обратной связи по напряжению
2 Основная часть
2.1 Анализ
исходных данных
Исходя из условий технического задания, наиболее оптимальным вариантом
решения моей задачи будет применение комбинированной обратной связи.[2]
Вследствие того, что у нас будут комбинированные обратные связи,
которые нам дадут хорошее согласование по входу и выходу, в них будет теряться
1/2 выходного напряжения, то возьмём Uвых в 2 раза больше
заданного, т.е. 2В.
2.2 Расчёт оконечного каскада
2.2.1 Расчёт
рабочей точки
Возьмём Uвых в 2 раза больше чем заданное, так как часть выходной
мощности теряется на ООС.[2]
Uвых=2Uвых(заданного)=2 (В)
Расчитаем выходной
ток:
Iвых===0,04 (А)
Расчитаем каскады с
резистором и индуктивностью в цепи коллектора:
Расчёт резистивного каскада при условии Rн=Rк=50 (Ом) рис(2.2.1.1).
Рисунок 2.2.1.1- Резистивный
каскад Рисунок 2.2.1.2- Нагрузочные прямые.
по переменному току.
Расчитаем выходной
ток для каскада с резистором в цепи коллектора:
Iвых~===0,08 (А)
Расчитаем ток и
напряжение в рабочей точке:
Uкэ0=Uвых+Uост, Uост примем равным 2В. (2.2.1)
Iк0=Iвых~+0,1Iвых~
(2.2.2)
Uкэ0=3 (В)
Iк0=0,088 (А)
Расчитаем выходную
мощность:
Pвых===0,04 (Вт)
Напряжение питания
тогда будет:
Eп=Uкэ0+URк=Uкэ0+ Iк0×Rк=7,4 (В)
Найдём потребляемую и
рассеиваемую мощность:
Pрасс=Uкэ0×Iк0=0,264 (Вт)
Рпотр= Eп×Iк0=0,651(Вт)
Для того чтобы больше мощности шло в нагрузку,
в цепь коллектора включаем дроссель.[2]
Расчёт каскада при условии что в цепь
коллектора включен Lк рис(2.2.1.3).
Рисунок 2.2.1.3-
Индуктивный каскад Рисунок 2.2.1.4- Нагрузочные прямые.
по переменному току.
Расчитаем выходной
ток для каскада с индуктивностью в цепи коллектора:
Iвых= ==0,04 (А)
По формулам (2.2.1) и
(2.2.2) расчитаем рабочую точку.
Uкэ0=3 (В)
Iк0=0,044 (А)
Найдём напряжение
питания, выходную, потребляемую и рассеиваемую мощность:
Pвых===0,04 (Вт)
Eп=Uкэ0=3 (В)
Рк расс=Uкэ0×Iк0=0,132 (Вт)
Рпотр= Eп×Iк0=0,132 (Вт)
|
Еп,(В)
|
Ррасс,(Вт)
|
Рпотр,(Вт)
|
Iк0,(А)
|
С Rк
|
7,4
|
0,264
|
0,651
|
0,088
|
С Lк
|
3
|
0,132
|
0,132
|
0,044
|
Таблица 2.2.1.1-
Характеристики вариантов схем коллекторной цепи
Из энергетического расчёта
усилителя видно, что целесообразнее использовать каскад с индуктивностью в цепи
коллектора.
Выбор транзистора
осуществляется с учётом следующих предельных параметров:
1.
граничной
частоты усиления транзистора по току в схеме с ОЭ
;
2.
предельно
допустимого напряжения коллектор-эмиттер
;
3.
предельно
допустимого тока коллектора
;
4.
предельной
мощности, рассеиваемой на коллекторе
.
Этим требованиям полностью
соответствует транзистор КТ996А. Его основные технические характеристики
приведены ниже.
Электрические параметры:
1.
Граничная
частота коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ МГц;
2.
Постоянная
времени цепи обратной связи пс;
3.
Статический
коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ ;
4.
Ёмкость
коллекторного перехода при В пФ;
5.
Индуктивность
вывода базы нГн;
6.
Индуктивность
вывода эмиттера нГн.
Предельные эксплуатационные
данные:
1.
Постоянное
напряжение коллектор-эмиттер В;
2.
Постоянный
ток коллектора мА;
3. Постоянная
рассеиваемая мощность коллектора Вт;
2.2.2 Расчёт эквивалентных
схем замещения транзистора.
2.2.2.1Расчёт параметров схемы
Джиаколетто.
Рисунок 2.2.2.1.1-
Эквивалентная схема биполярного
транзистора (схема Джиаколетто).
Найдём параметры всех
элементов схемы:[2]
Пересчитаем ёмкость
коллектора из паспортной: Ск(треб)=Ск(пасп)*=1,6×=2,92 (пФ)
Найдём gб=, причём rб= :
rб= =2,875 (Ом); gб==0,347 (Cм);
Для нахождения rэ воспользуемся формулой rэ=, где Iк0 в мА:
rэ= =1,043 (Ом);
Найдём оставшиеся
элементы схемы
gбэ==0,017,где ß0=55 по справочнику;
Cэ==30,5 (пФ),где fТ=5000Мгц по справочнику;
Ri= =100 (Ом), gi=0.01(См),где Uкэ(доп)=20В Iко(доп)=200мА.
2.2.2.2Расчёт
однонаправленной модели транзистора.
Данная модель применяется в области
высоких частот.
Рисунок 2.2.2.2.1-
Однонаправленная модель транзистора.
Параметры эквивалентной
схемы расчитываются по приведённым ниже формулам.[2]
Входная индуктивность:
,
(2.2.2.1)
где –индуктивности выводов базы и
эмиттера.
Входное сопротивление:
,
(2.2.2.2)
где , причём , и – справочные данные.
Выходное сопротивление:
.
(2.2.2.3)
Выходная ёмкость:
.
(2.2.2.4)
В соответствие с этими
формулами получаем следующие значения элементов эквивалентной схемы:
Lвх= Lб+Lэ=1+0,183=1,183 (нГн);
Rвх=rб=2,875 (Ом);
Rвых=Ri=100 (Ом);
Свых=Ск(треб)=2,92 (пФ);
fmax=fт=5 (ГГц)
2.2.3 Расчёт и выбор схемы термостабилизации.
2.2.3.1 Эмитерная термостабилизация.
Эмитерная термостабилизация широко
используется в маломощных каскадах, так как потери мощности в ней при этом не
значительны и её простота исполнения вполне их компенсирует, а также она хорошо
стабилизирует ток коллектора в широком диапазоне температур при напряжении на
эмиттере более 3В.[1]
Рисунок 2.2.3.1.1-
Каскад с эмитерной термостабилизацией.
Рассчитаем параметры
элементов данной схемы.
Uэ=4 (В);
Eп=Uкэ0+Uэ=7 (В);
Rэ= ==90,91 (Ом);
Rб1=, Iд=10×Iб, Iб=, Iд=10× =10×=0,008 (А);
Rб1==264,1 (Ом);
Rб2= =534,1 (Ом).
Наряду с эмитерной
термостабилизацией используются пассивная и активная коллекторная
термостабилизации.[1]
2.2.3.2Пассивная коллекторная
термостабилизация:
Ток базы определяется
Rб. При увеличении тока коллектора напряжение в
точке А падает и следовательно уменьшается ток базы, а это не даёт
увеличиваться дальше току коллектора. Но чтобы стал изменяться ток базы,
напряжение в точке А должно измениться на 10-20%, то есть Rк должно быть очень велико, что оправдывается только в
маломощных каскадах[1].
Рисунок 2.2.3.2.1- Схема пассивной
коллекторной термостабилизации
Rк==159.1(Ом);
URк=7 (В);
Eп=Uкэ0+URк=10 (В);
Iб==0.0008(А);
Rб= =2875 (Ом).
2.2.3.3 Активная
коллекторная термостабилизация.
Можно сделать чтобы Rб зависило от напряжения в точке А см. рис.(2.2.3.2.1).
Получим что при незначительном уменьшении (увеличении) тока коллектора
значительно увеличится (уменьшится) ток базы. И вместо большого Rк можно поставить меньшее на котором бы падало порядка
1В см. рис.(2.2.3.3.1).[1]
b2=100;
Rк===22,73 (Ом);
Eп=Uкэ0+UR=4
(В);
Iд2=10×Iб2=10×=0.00008 (A);
R3==28,75 (кОм);
R1==21,25 (кОм);
R2==4.75 (кОм).
Рисунок 2.2.3.3.1- Активная коллекторная
термостабилизация.
Данная схема
требует значительное количество дополнительных элементов, в том числе и
активных. Если Сф утратит свои свойства, то каскад самовозбудится и будет не усиливать,
а генерировать.Основываясь на проведённом выше анализе схем термостабилизации
выберем эмитерную.
3 Расчёт
входного каскада по постоянному току
3.1 Выбор рабочей точки
При расчёте требуемого
режима транзистора промежуточных и входного каскадов по постоянному току
следует ориентироваться на соотношения, приведённые в пункте 2.2.1 с учётом
того, что заменяется
на входное сопротивление последующего каскада. Но, при малосигнальном режиме,
за основу можно брать типовой режим транзистора (обычно для маломощных ВЧ и СВЧ
транзисторов мА
и В). Поэтому координаты
рабочей точки выберем следующие мА, В. Мощность, рассеиваемая на коллекторе мВт.
3.2 Выбор транзистора
Выбор транзистора
осуществляется в соответствии с требованиями, приведенными в пункте 2.2.1. Этим
требованиям отвечает транзистор КТ3115А-2. Его основные технические
характеристики приведены ниже.
Электрические параметры:
1.
граничная
частота коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ ГГц;
2.
Постоянная
времени цепи обратной связи пс;
3.
Статический
коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ ;
4.
Ёмкость
коллекторного перехода при В пФ;
5.
Индуктивность
вывода базы нГн;
6.
Индуктивность
вывода эмиттера нГн.
7.
Ёмкость
эмиттерного перехода пФ;
Предельные эксплуатационные
данные:
1.
Постоянное
напряжение коллектор-эмиттер В;
2.
Постоянный
ток коллектора мА;
3.
Постоянная
рассеиваемая мощность коллектора Вт;
3.3 Расчёт эквивалентной
схемы транзистора
Эквивалентная схема имеет
тот же вид, что и схема представленная на рисунке 2.2.2.2.1 Расчёт её элементов
производится по формулам, приведённым в пункте 2.2.2.1
нГн;
пФ;
Ом
Ом;
Ом;
пФ.
3.3 Расчёт цепи
термостабилизации
Для входного каскада также
выбрана эмиттерная термостабилизация, схема которой приведена на рисунке 3.3.1.
Рисунок 3.3.1
Метод расчёта схемы
идентичен приведённому в пункте 2.2.3.1 с той лишь особенностью что присутствует, как видно из
рисунка, сопротивление в цепи коллектора . Эта схема термостабильна при В и мА. Напряжение питания рассчитывается
по формуле В.
Расчитывая элементы
получим:
Ом;
кОм;
кОм;
4.1 Расчет полосы
пропускания выходного каскада
Поскольку мы
будем использовать комбинированные обратные [1], то все соответствующие
элементы схемы будут одинаковы, т.е. по сути дела расчёт всего усилителя сводится
к расчёту одного каскада.
Рисунок 2.3.1 - Схема каскада
с комбинированной ООС
Достоинством схемы является
то, что при условиях
и (4.1.1)
схема оказывается согласованной по входу
и выходу с КСВН не более 1,3 в диапазоне частот, где выполняется условие ³0,7. Поэтому практически
отсутствует взаимное влияние каскадов друг на друга при их каскадировании [6].
При выполнении
условия (1.53), коэффициент усиления каскада в области верхних частот
описывается выражением:
, (4.1.2)
где ; (4.1.3)
;
.
Из (2.3.1),
(2.3.3) не трудно получить, что при заданном значении
. (4.1.4)
При заданном значении , каскада равна:
, (4.1.5)
где .
Нагружающие ООС
уменьшают максимальную амплитуду выходного сигнала каскада, в котором они используются на величину
.
При выборе и из (4.1.3), ощущаемое сопротивление нагрузки
транзистора каскада с комбинированной ООС равно .
Расчёт Kо:
Для реализации
усилителя используем четыре каскада. В этом случае коэффициент усиления на один
каскад будет составлять:
Ко==4.5дБ или 1.6 раза
(Ом);
Rэ= (Ом);
;
;
Общий уровень частотных искажений равен 3 дБ, то Yв для одного каскада примем равным:
;
;
Подставляя все данные в (4.1.5) находим fв:
Рисунок 4.1.1- Усилитель приёмного блока
широкополосного локатора на четырёх каскадах.
4.2. Расчёт
полосы пропускания входного каскада
Все расчёты ведутся
таким же образом, как и в пункте 4.1 с той лишь разницей что берутся данные для
транзистора КТ3115А-2.Этот транзистор является маломощным,
тем самым, применив
его в первых трёх каскадах, где уровень выходного сигнала небольшой, мы
добьемся меньших потерь мощности.
(Ом);
Rэ= (Ом);
;
;
Так каr в усилителе 4 каскада и общий уровень
частотных искажений равен 3 дБ, то Yв для одного каскада примем равным:
;
;
Подставляя все данные
в (4.1.5) находим fв:
,
Все требования к
усилителю выполнены
5 Расчёт ёмкостей и
дросселей.
Проводимый ниже
расчёт основан на [2].
(нФ);
(мкГн);
На нижних частотах
неравномерность АЧХ обусловлена ёмкостями Ср и Сэ, поэтому пусть 1,5 dB вносят Ср и столько же Сэ.
,
где
(5.1)
R1 и R2 сопротивления
соответственно слева и справа от Ср
Yн допустимые искажения вносимые одной ёмкостью.
(dB), (раз), для Ср1 и (раз), для Сэ.
R1=Rвых(каскада), R2=Rвх(каскада)=Rн=50 (Ом), для Ср1 (межкаскадной),
R1=Rг=Rвых(3-го каскада)=50 (Ом), R2=Rвх(каскада)=Rн=50 (Ом), для Ср2,
,
, ,
,
(Ом),
По формуле (2.4.1)
рассчитаем Ср.
(пФ),
(пФ),
,
,
(нс),
(нФ).
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
РТФ КП 468730.001.ПЗ
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
усилитель приёмного
|
Лит
|
Масса
|
Масштаб
|
Изм
|
Лист
|
Nдокум.
|
Подп.
|
Дата
|
блока широкополосного
|
|
|
|
|
|
Выполнил
|
Воронцов
|
|
|
локатора
|
|
|
|
|
|
Проверил
|
Титов
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Лист
|
Листов
|
|
|
|
|
|
ТУСУР РТФ
|
|
|
|
|
Принципиальная
|
Кафедра РЗИ
|
|
|
|
|
схема
|
гр. 148-3
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Позиция
Обозн.
|
Наименование
|
Кол
|
Примечание
|
|
Конденсаторы
ОЖ0.460.203 ТУ
|
|
|
С2,С5,
С8,С11
|
КД-2-1200 пФ±10%
|
4
|
|
|
С3,С6
С9,С12
|
КД-2-0.3 нФ±10
|
4
|
|
|
С4,С7,
С10
|
КД-2-33 пФ±10%
|
3
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Катушки индуктивности
|
|
|
|
L1
|
Индуктивность 8 мкГн±10%
|
1
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Резисторы ГОСТ 7113-77
|
|
|
|
R19
|
МЛТ–0,125-264 Ом±10%
|
1
|
|
|
R20
|
МЛТ–0,125-535 Ом±10%
|
1
|
|
|
R4,R10
R16,R21
|
МЛТ–0,5-18 Ом±10%
|
4
|
|
|
R22
|
МЛТ–0,5-73 Ом±10%
|
1
|
|
|
R6,R12,
R18,R23
|
МЛТ–0,25-142 Ом±10%
|
4
|
|
|
R1,R7,
R13
|
МЛТ–0,125-2200 Ом±10%
|
3
|
|
|
R2,R8,
R14
|
МЛТ–0,125-1700 Ом±10%
|
3
|
|
|
R5,R11,
R17
|
МЛТ–0,125-880 Ом±10%
|
3
|
|
|
|
Транзисторы
|
|
|
|
VT3
|
КТ996А
|
1
|
|
|
VT1,VT2
VT3
|
КТ3115А-2
|
3
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
РТФ КП 468730.001 ПЗ
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Лит
|
Масса
|
Масштаб
|
|
Из
|
Лист
|
Nдокум.
|
Подп.
|
Дата
|
УСИЛИТЕЛЬ ПРИЁМНОГО БЛОКА
|
|
|
|
|
|
Выполнил
|
Воронцов
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Проверил
|
Титов
|
|
|
ШИРОКОПОЛОСТНОГО
ЛОКАТОРА
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Лист
|
Листов
|
|
|
|
|
|
ТУСУР РТФ
|
|
|
|
|
Перечень элементов
|
Кафедра РЗИ
|
|
|
|
|
|
гр. 148-3
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
3 Заключение
В данном курсовом
проекте разработан усилитель приёмного блока широкополосного локатора с
использованием транзисторов КТ996А и комбинированных обратных связей, имеет
следующие технические характеристики: полоса рабочих частот (100-1000) МГц; коэффициент
усиления 15 дБ; неравномерность амплитудно-частотной характеристики +
1,5 дБ; максимальное значение выходного напряжения 2 В; сопротивление
генератора и нагрузки 50 Ом; напряжение питания 7 В.
Список
использованных источников
1 Мамонкин И.Г. Усилительные
устройства: Учебное пособие для вузов. – М.: Связь, 1977.
2 Титов А.А. Расчет
корректирующих цепей широкополосных усилительных каскадов на биполярных
транзисторах – http://referat.ru/download/ref-2764.zip
3 Горбань Б.Г.
Широкополосные усилители на транзисторах. – М.: Энергия,
1975.-248с.
4 Проектирование
радиопередающих устройств./ Под ред. О.В. Алексеева. – М.: Радио и связь,
1987.- 392с.
5 Зайцев
А.А.,Миркин А.И., Мокряков В.В. Полупроводниковые приборы. Транзисторы средней
и большей мощности: Cправочник-3-е изд. –М.: КубК-а,
1995.-640с.: ил.
|